一、P型PbSe单晶的低温电阻率（论文文献综述）
王国宾,李辉,盛达,王文军,陈小龙[1]（2022）在《高温溶液法生长SiC单晶的研究进展》文中提出碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料,不仅禁带宽度较大,还兼具热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性,在高温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中有很好的应用潜力。高质量、大尺寸、低成本SiC单晶衬底的制备是实现SiC器件大规模应用的前提。受技术与工艺水平限制,目前SiC单晶衬底供应仍面临缺陷密度高、成品率低和成本高等问题。高温溶液生长（high temperature solution growth, HTSG）法生长SiC单晶具有晶体结晶质量高、易扩径、易实现p型掺杂等独特的优势,有望成为大规模量产SiC单晶的主要方法之一,目前该方法的主流技术模式是顶部籽晶溶液生长（top seeded solution growth, TSSG）法。本文首先回顾总结了TSSG法生长SiC单晶的发展历程,接着介绍和分析了该方法的基本原理和生长过程,然后从晶体生长热力学和动力学两方面总结了该方法的研究进展,并归纳了该方法的优势,最后分析了TSSG法生长SiC单晶技术在未来的研究重点和发展方向。
黄志平[2]（2021）在《晶体硅太阳能电池掺杂与金属化工艺研究》文中指出晶体硅太阳能电池已经在全球光伏市场占据主导地位,随着人们对低发电成本的不断追求,传统电池经历了全铝背场、背钝化+局部铝背场、背钝化+背结、异质结等技术革新,有效改善了电池载流子在表面的复合,使得高效电池结构进入了产业化阶段,如钝化发射极背接触电池（PERC）、异质结电池（HJT）、隧穿氧化物钝化接触电池（TOPCon）等,然而其发射极的低方阻限制了效率的进一步提升,而方阻的均匀性更是产业化技术关注的热点之一;此外,在高效n型衬底电池技术路线中,其低温背金属化工艺也是降低成本的又一重要手段,逐渐成为人们关注的焦点。本文在扩散理论模型的建立和仿真、扩散工艺方法以及低温背金属化工艺三个方面进行了探索:（1）建立了一种非均匀发射极工艺理论模型,确定了工艺过程造成方阻非均匀的原因,实现对扩散工艺趋势的准确预测。（2）实现了高均匀发射极制备工艺,解决了管式扩散不易实现高方阻均匀性的行业难题,验证了理论模拟对实验的指导作用。（3）国内率先实现了太阳能电池金属化的低温制备工艺,并在n-Pasha太阳电池上获得了卓越的电池性能。本论文得到以下研究成果:（1）磷/硼扩散发射极工艺模拟表明,drive-in温度越高,PSG/BSG厚度越大,PSG中磷/BSG中硼浓度越大,结深越深,方块电阻越低。器件仿真表明,低掺杂浓度（高方阻、浅结）条件下的电池性能明显优于高掺杂浓度条件电池（低方阻、深结）。结深越均匀,方阻偏差越小,电池性能越好。背金属化接触特性模拟表明,金属半导体之间的比接触电阻率也随着功函数的增大而增加。器件模拟表明,功函数越低,其开路电压越高,电池效率也越高。（2）通过陶瓷辊轴链式扩散（CRID）完成无金属污染的磷发射极制备,以85Ω/sq方块电阻为目标值,CRID和管式扩散（TD）方阻标准差分别为3.2Ω/sq和5.65Ω/sq,CRID可得到电池效率的标准差为0.02%,比TD过程降低了81.8%。结合Suns-Voc测试表明,CRID电池的均匀发射极有更高效率提升的潜力,迎合了在将来更高效的多主栅电池设计。对比同一目标方阻工艺条件下,不同方阻偏差的管式扩硼电池性能,结果表明,方阻偏差越小,短波响应越高,同时开路电压和转换效率越高。（3）研究了以Ti/Ag、Hf/Ag、Mg/Ag和Ag为背金属化层的n-Pasha太阳电池接触特性和电性能。结果表明,Mg作为背金属化材料的n型晶硅太阳能电池具有良好的接触特性,串联电阻低至0.24Ω。相比Ag接触,Mg接触的开路电压提高了47m V,达8.95%（相对值）,填充因子提高了1.34%（绝对值）,最终效率提高了1.5%（绝对值）和10.5%（相对值）。因此,这种新技术可以准确地满足新型n型硅基太阳能电池背金属化的需求。本论文构建的非均匀发射极工艺模型,精确预测了实际工艺的剖面杂质分布,为实际工艺革新中的参数优化提供了理论支撑;高均匀发射极制备工艺,一方面验证了理论模拟对实验的指导作用,同时可为多主栅工艺的实现提供技术路径;金属化的低温制备工艺,一方面验证了理论模拟的指导,同时也可为低温金属化低成本的实现提供技术方案。
宋贵宏,李秀宇,李贵鹏,杜昊,胡方[3]（2021）在《溅射沉积富镁Mg3Bi2薄膜的热电性能》文中进行了进一步梳理采用Mg-Bi化合物靶和金属Mg靶用磁控溅射技术制备富Mg的Mg3Bi2薄膜并表征其相组成、表面和截面形貌,研究了薄膜的热电性能。结果表明,这种富Mg薄膜由Mg3Bi2相和金属Mg相组成且Mg3Bi2结构中有Mg空位,具有p型导电特征,Seebeck系数为正值。随着温度的提高,富Mg薄膜的电阻率先略微提高而后显着降低;随着Mg含量的提高富Mg薄膜的电阻率逐渐提高,但是Mg含量达到一定数值后电阻率又急剧下降。Mg含量较低时Seebeck系数随着温度的提高开始时略下降随后很快增大,达到最大值后又很快降低;Mg含量较高时随着温度的提高Seebeck系数开始时略增大,随后缓慢下降。除了Mg含量较低的样品,在温度相同的条件下随着Mg含量的提高薄膜的Seebeck系数值增大,但是Mg含量过高时Seebeck系数值迅速降低,达到普通金属材料Seebeck系数的数量级。这种富Mg薄膜的功率因子,受Seebeck系数和电阻率制约。
张云龙,陈新亮,周忠信,赵颖,张晓丹[4]（2021）在《晶体硅太阳电池研究进展》文中提出主要介绍太阳电池基本原理和晶体硅基本性质,并从少子复合的角度分析了氧化物钝化层对太阳电池性能的影响;重点阐述4种典型晶体硅太阳电池的研究现状,并详细分析其获得高效率的物理机制:1)钝化发射极型太阳电池采用背部重掺杂点接触的结构,减少晶体硅与金属的接触面积来降低复合损耗;2)硅异质结（SHJ）型太阳电池的本征非晶硅薄层提供了良好的钝化效果,同时晶体硅与非晶硅间的异质接触使得器件的开路电压相对更高;3)隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）型太阳电池采用超薄隧道氧化物（SiOx）和磷掺杂硅层,显着地减少了金属-半导体界面处的表面复合;4)新型选择性接触（selective contact）型太阳电池（如DASH电池）采用低温无掺杂的金属氧化物作为电子/空穴选择层,实现了对光生载流子的有效收集。
武蕊,范东海,康阳,万鑫,郭晨,魏登科,陈冬雷,王涛,查钢强[5]（2021）在《半导体辐射探测材料与器件研究进展》文中研究指明自从1895年伦琴发现X射线以来,辐射探测技术快速发展,被广泛应用于医疗影像、安检安防、工业无损检测、核安全监测、资源勘探、基础科学和空间科学等诸多领域。从探测材料和工作原理划分,辐射探测器主要可分为气体探测器、闪烁体探测器和半导体探测器。本文从各类射线与半导体材料的相互作用以及半导体探测器工作原理和信号处理过程入手,探讨了不同辐射类型、不同应用需求对半导体辐射探测器的性能要求以及探测器设计要点,并按照元素族序的顺序对半导体材料在辐射探测领域的性能表现和研究进展进行了综述。
李淑甲[6]（2021）在《高压下材料的超导电性、电荷密度波与形貌依赖的电输运行为的演化》文中研究指明压力可以调节原子间距,加强相邻电子轨道的耦合程度,从而诱导材料的电子自旋状态、电子相互作用、电荷密度分布、能带结构等发生改变,这些微观电子结构的变化都可以通过材料宏观的电输运行为呈现出来。通过施加外部压力,诱导材料的晶体结构和电子结构发生奇异变化和新物象产生,可以极大地拓宽材料研究的维度,对于解决凝聚态物理中一些重要的问题,如对超导电性、拓扑结构、电荷和磁有序等现象的理解也有着十分重要的意义。本论文着眼于压力对材料超导电性、电荷分布和形貌依赖的导电性等几种与电输运有关的特殊性质的影响,基于金刚石对顶砧高压实验装置,利用高压X射线衍射、拉曼散射、电输运测量、电镜等探测技术,对几种代表性材料的高压下电输运和结构的演化行为进行研究,获得了一系列创新研究结果:1、研究了自旋阶梯型铁基化合物Ta Fe1+yTe3在高压下超导性和自旋的演化。在压力作用下,Ta Fe1+yTe3在～3GPa时经历了由反铁磁到铁磁序的自旋翻转,相变时强烈的自旋涨落诱导产生了超导相。铁磁序和超导电性共存至10GPa,之后长程磁有序消失,超导明显增强(Tsc升高),在26GPa出现最大超导转变温度Tsc=6.1K。高压结构研究表明,在Ta Fe1+yTe3中高压在不引起结构变化的情况下能独立调节材料的自旋结构和超导态,材料的磁有序态和超导态之间展现出既共存又相互竞争的复杂关系。我们的发现为理解铁基阶梯化合物中超导、磁性、晶体结构相互作用提供了新的实验依据。2、研究了层状电荷密度波材料1T”-Nb Te2在高压下电荷密度波和结构的演化。通过高压电输运、拉曼光谱、X射线衍射的原位检测,发现材料在20GPa左右出现了电荷密度波的崩溃,导致电子相互作用变弱和材料的能带拓扑结构发生了变化。电荷密度波的崩溃还伴随着晶体结构的变化,层内金属原子的聚合状态由三聚态变成了二聚态,不同于在其他过渡金属硫化物中观察到的压力对层间结构的调制,1T”-Nb Te2中压力是实现了对层内结构的调制,这是此类材料中新的结构相变机制。我们的研究有利于加深压力对二维材料中电荷密度波的调制以及电荷密度波与晶体结构之间的耦合作用的理解。3、对亚微米尺寸的催化材料Cu2O高压下相貌依赖电学性质和力学性质进行了研究。立方体、截角八面体和八面体Cu2O的电学性能表现出不同的压力依赖性,这是由于氧在Cu2O不同晶面上的选择吸附性和压力对材料表面/界面状态的调制共同作用导致的。在0.7-2.2、8.5、10.3和21.6GPa时电阻率的异常变化由压力诱导的结构相变造成。压致纳米化导致在15GPa时立方体和八面体样品,以及20GPa时截角八面体样品电阻率的急剧下降。截角八面体的力学性能优于立方体和八面体,这也为Cu2O在相关条件下的实际应用提供了依据。
张旺玺[7]（2021）在《化学气相沉积法合成金刚石的研究进展》文中提出为了更深入地了解化学气相沉积法合成金刚石,对化学气相沉积法合成金刚石的主要类型、合成的金刚石结构及主要形态和主要应用领域进行了综述。化学气相沉积法合成金刚石的方法可分为微波等离子体化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法和直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法。化学气相沉积法合成的金刚石的形态主要有金刚石单晶、微纳米级多晶金刚石膜和类金刚石膜。该法合成的金刚石主要用作钻石培育、刀具涂层、半导体器件材料、水处理电极材料以及其他功能材料。由于该合成金刚石在质量、尺寸、净度、功能等方面的众多优势,预计在未来几十年内,在产量上快速赶上高压高温法,在质量上超过高压高温法。为了加快化学气相沉积法合成金刚石的发展,应该从提高速率、提升质量、加大尺寸、细化功能四个方面深入开展化学气相沉积法合成金刚石的技术研发。
孙广成[8]（2021）在《GaAs光电导开关载流子散射与暗态电阻率温度特性的理论研究》文中指出皮秒光电导开关（Photoconductive Seiconductor Sitches,PCSS）兼具高功率和高重复率双重特性,较之脉冲功率技术中的常规开关具有皮秒级响应、兆瓦量级功率密度、寄生电感电容小、弱光触发等优势,在超快光电子学太赫兹技术和高功率脉冲领域具有极其广泛的应用前景,包括有太赫兹波辐射和探测、高功率微波源、粒子加速器和定向能系统等。PCSS暗态电阻率是影响开关耐压性能的一个非常重要的参数,半绝缘砷化镓（semi-insulating Gallium Arsenide,SI-GaAs）室温下电阻率可达108Ω·cm,本征击穿场强高达250kV/cm,是目前最主流的开关芯片材料。迄今为止,通过生产工艺和后处理过程来提高芯片材料电阻率的技术手段己达到极限,找出一种新途径来提高芯片材料的电阻率不可避免地成为太赫兹功能器件领域和脉冲功率的重要研究课题。本文在对载子散射机制及输运机理深入研究的基础上,结合SI-GaAs材料的特性,采用MATLAB仿真软件研究了温度在5～500K范围内GaAs PCSS暗态电阻率的温度特性。该研究对解GaAs中施主态的不同散射机制的作用提供理论基础,为优化不同度范围内GaAs基光电件的性能提供行性方法。论文的主要内容如下:（1）从量子力学的费米黄金则和玻尔兹曼输运方程出发,利用动量弛豫近似求解弹性散射、非弹性散射、各向同性散射和各向异性散射的散射率。结合GaAs的能带结构及材料特性,分析并给出了GaAs中的四种主要散射机制下的迁移率模型:离化杂质散射、声学声子形变势散射、声学声子压电散射和极化光学声子散射迁移率模型,为定量研究GaAs PCSS载流子散射机制和运输特性提供论基础。（2）基于SI-GaAs的三能级补偿机制,利用半导体中载流子的统计分布论计算了载流子浓度随温度和杂质度的变化规律;结合GaAs材料散射机制的物模型,理论分析不同散射机制下的移率模型;从变分法出发,严格求解了SI-GaAs电子移率的温度特性。结果表明:SI-GaAs电子迁移率在不同度范围内依次被三种散射机制所支配,较低温度下（5～17K）的电离杂质散射,中等度下（17～72K）的声学波电散射,较高温度下（大于72K）的极光学波散射;在整个温度范围内,声学波形变势散射对移率的贡献不会超过6%,可以忽略不计。理论结果与实验结果基本符合。峰值迁移率随浅施主浓度的增大而急剧减小,同时峰值迁移率向高温方向移动。EL2浓度的差异未对SI-GaAs电子迁移率产生影响。（3）MATLAB仿真软件模拟了5～500K温度范围内SI-GaAs暗态电阻率的温度特性。研究表明:电阻率随温度变化具有单峰性特征,当温度为154K时,峰值电阻率可达1.29×1012Ω·cm,比室温下电阻率大五个数量级（室温电阻率模拟值为1.13×107Ω·cm,与实验值107～108Ω·cm基本符合）。研究了浅施主杂质浓度和深施主缺陷浓度对GaAs PCSS峰值电阻率的影响。结果表明:开关的峰值电阻率随杂质浓度的增大而降低,深施主缺陷EL2浓度相比浅施主杂质浓度对开关峰值电阻率影响比较小。增大浅施主杂质浓度,峰值电阻率向高温方向趋近,反之增大EL2浓度,则向低温方向靠近。通过某些方式适当地减少浅施主杂质浓度能够有效提高GaAs PCSS的暗态电阻率,从而可实现开关耐压能力和大功率输出性能的提升。
李宝生[9]（2021）在《具有随动功能的拇指力传感器关键技术研究》文中指出
王欢欢[10]（2021）在《准二维量子材料SrIn2P2和炉β-PdBi2的电输运性质研究》文中认为
二、P型PbSe单晶的低温电阻率（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、P型PbSe单晶的低温电阻率（论文提纲范文）
（1）高温溶液法生长SiC单晶的研究进展（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 TSSG法生长SiC单晶的发展历程与现状 |
| 2 TSSG法生长SiC单晶的基本原理 |
| 3 高温溶液的热力学性质 |
| (1)对C的溶解度大： |
| (2)化学稳定性好： |
| (3)热稳定性好： |
| (4)传质能力强： |
| (5)润湿性好： |
| (6)非故意掺杂少： |
| (7)相组成单一： |
| (8)成本低、环境友好： |
| 4 生长动力学 |
| 5 TSSG法生长SiC单晶的优势 |
| 5.1 微管和位错 |
| 5.2 扩 径 |
| 5.3 生长过程中的可调控性 |
| 5.4 p型掺杂 |
| 6 结语与展望 |
| (1)溶液热力学性质的深入研究。 |
| (2)生长速率和结晶质量的平衡。 |
| (3)持稳性晶体生长条件的建立。 |
| (4)精细化动态调控技术的开发。 |
（2）晶体硅太阳能电池掺杂与金属化工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究发射极和金属接触的必要性 |
| 1.1.1 产业化晶体硅电池技术发展历程 |
| 1.1.2 太阳能电池的效率损失 |
| 1.2 研究现状 |
| 1.2.1 扩散技术研究现状 |
| 1.2.2 理论模拟研究现状 |
| 1.2.3 背金属化研究现状 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 |
| 第2章 太阳能电池机理 |
| 2.1 太阳能电池机理 |
| 2.1.1 太阳能电池能带结构 |
| 2.1.2 扩散机理 |
| 2.1.2.1 扩散工艺原理 |
| 2.1.2.2 扩散机理 |
| 2.1.3 太阳能电池电学损失分析 |
| 2.1.3.1 发射极复合分析 |
| 2.1.3.2 背金属化损失分析 |
| 2.2 太阳能电池理论模拟 |
| 2.2.1 Silvaco TCAD软件模拟 |
| 2.2.1.1 Silvaco TCAD软件概述 |
| 2.2.1.2 Silvaco TCAD流程 |
| 2.2.2 PC1D软件模拟 |
| 2.3 测试仪器 |
| 2.3.1 四探针测试仪 |
| 2.3.2 电化学电容电压测试仪(ECV) |
| 2.3.3 台阶仪 |
| 2.3.4 少子寿命测试仪 |
| 2.3.5 电学性能测试仪 |
| 2.3.6 太阳能电池光谱响应测试装置(QE) |
| 2.3.7 Voc Decay测试仪 |
| 2.3.8 其它特性测试 |
| 第3章 发射极均匀特性与电池背金属化模拟研究 |
| 3.1 磷扩散工艺模拟 |
| 3.1.1 扩散模型结构 |
| 3.1.2 单步工艺模拟 |
| 3.2 磷发射极器件模拟 |
| 3.2.1 硅片位置与模拟杂质剖面分布的拟合 |
| 3.2.2 器件结构与模型 |
| 3.2.2.1 极限参数影响的电性能 |
| 3.2.2.2 非均匀掺杂影响的电性能 |
| 3.3 硼扩散工艺模拟 |
| 3.3.1 扩散模型结构 |
| 3.3.2 单步工艺模拟 |
| 3.4 硼发射极器件模拟 |
| 3.4.1 硅片位置与模拟杂质剖面分布的拟合 |
| 3.4.2 器件结构与模型 |
| 3.4.2.1 极限参数影响的电性能 |
| 3.4.2.2 非均匀掺杂影响的电性能 |
| 3.5 背金属化工艺研究 |
| 3.5.1 接触特性模拟 |
| 3.5.2 背金属化器件模拟 |
| 3.6 本章总结 |
| 第4章 晶体硅电池的发射极均匀特性 |
| 4.1 基于陶瓷辊式扩散的高均匀磷发射极研究 |
| 4.1.1 实验 |
| 4.1.1.1 电池制造 |
| 4.1.1.2 改进的CRID扩散炉特点 |
| 4.1.2 结果与讨论 |
| 4.1.2.1 发射极特点 |
| 4.1.2.2 死区去除 |
| 4.1.2.3 电池性能 |
| 4.2 硼发射极方阻标准差对电池性能的影响 |
| 4.2.1 实验 |
| 4.2.2 实验结果分析与讨论 |
| 4.2.2.1 实验方阻与ECV剖面分布 |
| 4.2.2.2 方阻标准差对电池性能的影响 |
| 4.2.3 本章小节 |
| 第5章 金属对晶体硅太阳能电池背金属化的影响 |
| 5.1 实验 |
| 5.2 结果与讨论 |
| 5.2.1 接触特性 |
| 5.2.1.1 不含有氧化层的接触特性 |
| 5.2.1.2 含有氧化层的接触特性 |
| 5.2.1.3 不含/含有自然氧化层的接触特性比较 |
| 5.2.2 暗态特性 |
| 5.2.3 阻抗谱特性 |
| 5.2.4 Voc-Decay测试特性 |
| 5.2.5 Suns-Voc测试特性 |
| 5.3 本章小结 |
| 第6章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间发表论文 |
（3）溅射沉积富镁Mg3Bi2薄膜的热电性能（论文提纲范文）
| 1 实验方法 |
| 1.1 薄膜的沉积 |
| 1.2 沉积薄膜的结构和性能表征 |
| 2 结果和讨论 |
| 2.1 沉积薄膜的相组成 |
| 2.2 沉积薄膜的元素含量 |
| 2.3 薄膜表面和截面的形貌 |
| 2.4 沉积薄膜的电阻率 |
| 2.5 富镁薄膜的Seebeck系数 |
| 2.6 沉积薄膜的功率因子 |
| 3 结论 |
（4）晶体硅太阳电池研究进展（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 晶体硅的特性 |
| 2 高效晶体硅太阳电池 |
| 2.1 钝化发射极型电池 |
| 2.2 硅异质结太阳电池 |
| 2.3 TOPCon（隧穿氧化层钝化接触）太阳电池 |
| 2.4 金属氧化物选择性接触 |
| 3 结论 |
（5）半导体辐射探测材料与器件研究进展（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 辐射与物质的相互作用 |
| 1.1 α粒子和β射线 |
| 1.2 X射线和γ射线 |
| 1.3 中 子 |
| 2 半导体辐射探测器的原理、性能和设计 |
| 2.1 半导体探测器的工作原理 |
| 2.2 半导体材料对辐射探测性能的影响 |
| 2.3 半导体辐射探测器的设计要点 |
| 2.3.1 X射线探测器 |
| 2.3.2 伽马射线探测器 |
| 2.3.3 α粒子探测器 |
| 2.3.4 β射线探测器 |
| 2.3.5 中子探测器 |
| 3 典型的半导体辐射探测材料 |
| 3.1 ⅣA族 |
| 3.1.1 锗基和硅基探测器 |
| 3.1.2 金刚石和碳化硅探测器 |
| 3.2 ⅢA-ⅤA族 |
| 3.2.1 砷化镓探测器 |
| 3.2.2 氮化硼和锑化铟探测器 |
| 3.3 ⅡB-ⅥA族 |
| 3.3.1 碲化镉、碲锌镉和碲锰镉探测器 |
| 3.3.2 非晶硒探测器 |
| 3.4 其他族序 |
| 3.4.1 钙钛矿探测器 |
| 3.4.2 溴化铊和含碘半导体探测器 |
| 4 半导体辐射探测器的发展 |
| (1)半导体辐射探测材料的制备和处理。 |
| (2)半导体辐射探测器的设计与制备。 |
| (3)辐射探测与成像系统集成与应用开发。 |
（6）高压下材料的超导电性、电荷密度波与形貌依赖的电输运行为的演化（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 超导电性 |
| 1.1.1 超导电性的发展 |
| 1.1.2 超导电性基本特征和分类 |
| 1.1.3 几类超导材料 |
| 1.2 电荷密度波 |
| 1.2.1 电荷密度波的起源 |
| 1.2.2 电子强关联体系中的电荷密度波 |
| 1.3 过渡金属硫族化合物 |
| 1.3.1 过渡金属硫族化合物的晶体结构和能带结构 |
| 1.3.2 过渡金属硫族化合物中的电荷密度波 |
| 1.4 本论文的研究目的与意义 |
| 1.5 本论文的主要内容 |
| 第二章 高压与低温电输运实验技术简介 |
| 2.1 金钢石对顶砧(DAC)装置及其使用方法 |
| 2.2 高压低温电输运实验测量方法 |
| 2.2.1 高压电输运实验方法 |
| 2.2.2 低温电磁学测量系统 |
| 第三章 高压下TaFe_(1+y)Te_3的超导电性和磁性研究 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 实验过程 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 TaFe_(1+y)Te_3常压结构表征和电阻 |
| 3.3.2 TaFe_(1+y)Te_3压致超导转变 |
| 3.3.3 TaFe_(1+y)Te_3高压结构研究 |
| 3.3.4 TaFe_(1+y)Te_3高压霍尔效应研究 |
| 3.3.5 TaFe_(1+y)Te_3的P-T相图 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 高压下NbTe_2的结构和电荷密度波研究 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 实验过程 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 NbTe_2常压表征 |
| 4.3.2 NbTe_2高压结构相变 |
| 4.3.3 NbTe_2高压和高温拉曼研究 |
| 4.3.4 NbTe_2的高压电输运、霍尔效应和磁阻研究 |
| 4.3.5 NbTe_2高压相的焓值和能带计算 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 高压下Cu_2O形貌依赖的电输运和力学性质 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 实验过程 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 常压样品表征 |
| 5.3.2 不同形貌Cu_2O的常压光电子能谱 |
| 5.3.3 高压下不同形貌Cu_2O的电输运和相变研究 |
| 5.3.4 不同形貌Cu_2O卸压样品的扫描和透射电镜研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间完成的学术论文 |
| 致谢 |
（7）化学气相沉积法合成金刚石的研究进展（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 CVD合成金刚石的主要方法 |
| 1.1 微波等离子体CVD法 |
| 1.2 热丝CVD法 |
| 1.3 直流电弧等离子体喷射CVD法 |
| 2 CVD合成的金刚石结构和主要形态 |
| 2.1 CVD合成金刚石的结构 |
| 2.2 CVD合成金刚石的主要形态 |
| 2.2.1 金刚石单晶 |
| 2.2.2 多晶微纳米金刚石膜 |
| 2.2.3 类金刚石膜 |
| 3 CVD合成的金刚石应用领域 |
| 3.1 培育钻石材料 |
| 3.2 金刚石膜刀具材料 |
| 3.3 半导体器件材料 |
| 3.4 水处理电极材料 |
| 3.5 其他功能材料 |
| 4 结语 |
（8）GaAs光电导开关载流子散射与暗态电阻率温度特性的理论研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 光电导开关发展简史 |
| 1.2 光电导开关研究现状 |
| 1.2.1 半绝缘光电导材料 |
| 1.2.2 电极研究现状 |
| 1.2.3 开关绝缘封装 |
| 1.3 光电导开关的应用前景 |
| 1.3.1 高功率超宽带微波源 |
| 1.3.2 光电导天线 |
| 1.3.3 光电混频器 |
| 1.4 论文主要内容和章节安排 |
| 1.5 本章小结 |
| 2 GaAs光电导开关的材料特性及其工作模式 |
| 2.1 GaAs材料的特性 |
| 2.1.1 GaAs的晶体结构 |
| 2.1.2 GaAs的能带结构 |
| 2.1.3 GaAs材料的电子转移效应 |
| 2.2 光电导开关的工作原理 |
| 2.3 光电导开关的基本结构 |
| 2.4 光电导开关的工作模式 |
| 2.4.1 线性工作模式 |
| 2.4.2 非线性工作模式 |
| 2.4.3 高倍增猝灭模式 |
| 2.5 光激发电荷畴模型 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 半导体材料的主要散射机制及其散射率 |
| 3.1 散射理论 |
| 3.2 动量弛豫率近似 |
| 3.3 电离杂质散射 |
| 3.4 晶格振动散射 |
| 3.4.1 声学波形变势散射 |
| 3.4.2 声学波压电散射 |
| 3.4.3 光学波形变势散射 |
| 3.4.4 极化光学波散射 |
| 3.4.5 谷间声子散射 |
| 3.5 等离子体激元散射 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 GaAs光电导开关载流子散射及迁移率的温度特性 |
| 4.1 SI-GaAs材料的补偿机制及其载流子的统计分布 |
| 4.1.1 深施主缺陷能级EL2 |
| 4.1.2 半绝缘GaAs材料的补偿机制 |
| 4.2 材料结构和参数 |
| 4.3 GaAs光电导开关载流子迁移率的温度特性 |
| 4.3.1 驰豫时间与能量有关的情形 |
| 4.3.2 电离杂质散射迁移率模型 |
| 4.3.3 声学波形变势散射迁移率模型 |
| 4.3.4 声学波压电散射迁移率模型 |
| 4.3.5 极化光学波散射迁移率模型 |
| 4.3.6 GaAs光电导开关电子迁移率对温度的依赖特性 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 GaAs光电导开关暗态电阻率的温度特性 |
| 5.1 SI-GaAs暗态电阻率对温度的依赖特性 |
| 5.2 浅施主杂质浓度对开关峰值电阻率的影响 |
| 5.3 深施主缺陷EL2 浓度对开关峰值电阻率的影响 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 本文工作总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间主要研究成果 |
四、P型PbSe单晶的低温电阻率（论文参考文献）
- [1]高温溶液法生长SiC单晶的研究进展[J]. 王国宾,李辉,盛达,王文军,陈小龙. 人工晶体学报, 2022(01)
- [2]晶体硅太阳能电池掺杂与金属化工艺研究[D]. 黄志平. 河北大学, 2021
- [3]溅射沉积富镁Mg3Bi2薄膜的热电性能[J]. 宋贵宏,李秀宇,李贵鹏,杜昊,胡方. 材料研究学报, 2021(11)
- [4]晶体硅太阳电池研究进展[J]. 张云龙,陈新亮,周忠信,赵颖,张晓丹. 太阳能学报, 2021(10)
- [5]半导体辐射探测材料与器件研究进展[J]. 武蕊,范东海,康阳,万鑫,郭晨,魏登科,陈冬雷,王涛,查钢强. 人工晶体学报, 2021(10)
- [6]高压下材料的超导电性、电荷密度波与形貌依赖的电输运行为的演化[D]. 李淑甲. 吉林大学, 2021(01)
- [7]化学气相沉积法合成金刚石的研究进展[J]. 张旺玺. 陶瓷学报, 2021(04)
- [8]GaAs光电导开关载流子散射与暗态电阻率温度特性的理论研究[D]. 孙广成. 西安理工大学, 2021
- [9]具有随动功能的拇指力传感器关键技术研究[D]. 李宝生. 哈尔滨工业大学, 2021
- [10]准二维量子材料SrIn2P2和炉β-PdBi2的电输运性质研究[D]. 王欢欢. 安徽大学, 2021